Транзистор d458 чем заменить

Транзистор d458 чем заменить

Наименование прибора: AOD458

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 58 ns

Выходная емкость (Cd): 104 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm

AOD458 Datasheet (PDF)

0.1. aod458.pdf Size:261K _aosemi

AOD458250V,14A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD458 has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high 300V@150 VDSlevels of performance and robustness in popular AC-DC 14A ID (at VGS=10V)applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along

0.2. aod458.pdf Size:265K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD458FEATURESDrain Current I = 14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

9.1. aod456a.pdf Size:193K _aosemi

AOD456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD456 uses advanced trench technology and VDS (V) = 25Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 50A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)

9.2. aod450.pdf Size:242K _aosemi

AOD450200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS200VThe AOD450 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 3.8AThis device is suitable for use in inverter, load switching RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. aod454.pdf Size:200K _aosemi

AOD454N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD454 uses advanced trench technology and VDS (V) = 40Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 12 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)

9.4. aod456.pdf Size:193K _aosemi

AOD456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD456 uses advanced trench technology and VDS (V) = 25Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 50A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)

9.5. aod454a.pdf Size:193K _aosemi

AOD454AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD454A uses advanced trench technology and VDS (V) = 40Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 20A (VGS = 10V)charge. With the excellent thermal resistance of theRDS(ON)

9.6. aod4504.pdf Size:285K _aosemi

AOD4504200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS200VThe AOD4504 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 6Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

9.7. aod452a.pdf Size:153K _aosemi

AOD452AN-Channel SDMOSTM POWER TransistorGeneral Description FeaturesVDS (V) = 25VThe AOD452A is fabricated with SDMOSTM trench (VGS = 10V)technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON)

9.8. aod450.pdf Size:265K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD450FEATURESDrain Current I = 3.8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

9.9. aod456.pdf Size:265K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD456FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 25V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

9.10. aod454a.pdf Size:265K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD454AFEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =30m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

9.11. aod4504.pdf Size:265K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4504FEATURESDrain Current I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Источник

переделка китайского блока питания

Давным давно, приобрел я с рук сие чудо. Блок питания с регулировкой тока и напряжения. до 5 ампер и до 30 вольт.

Примерно через пол года блок навернулся, и стал выдавать на выходе максимум, что может. Разборка показала следующие конструктивные недоработки.
1- в роли регулирующего элемента применялись 2 транзистора включенных в параллель, без выравнивающих сопротивлений.
2- сами транзисторы крепились к радиатору через толстые слюдяные прокладки без термопасты.
3- радиатор представлял из себя алюминиевую пластину толщиной всего 2 мм, без отверстий стоявшую поперек
корпуса, тем самым полностью перекрывающую сквозное вентилирование и охлаждение компонентов.
Собственно это и привело к перегреву одного транзистора и его пробою. В тот момент мне блок нужен был срочно, поэтому я просто выкинул пробитый транзистор, а радиатор заменил на компьютерный. Думал, что на первое время так сойдет а потом переделаю.

через 5 лет наступило это самое «потом». Я попытался зарядить автомобильный аккумулятор, и бедолага транзистор не вывез максимального тока больше 20 минут. Было решено сделать максимально «круто». Вместо родных транзисторов я решил поставить N3055 в железных корпусах, т.к. они обладали повышенной мощностью.

В роли радиатора я применил массивную медную пластину, толщиной 4 мм. В пластине были два больших отверстия, а сама пластина была меньше по размеру, чем поперечное сечение корпуса, и не препятствовала циркуляции воздуха.
Транзисторы на радиатор крепились без изолирующей прокладки, а только на термопасте, что способствовало лучшему охлаждению. Нужно лишь было изолировать сам радиатор от корпуса. На этот же радиатор разместил диодный мост на 20 ампер, вместо старого пятиамперного, и пара выравнивающих резисторов по 0.1ом.

Токоизмерительный резистор на 0.1 ом был заменен на два параллельно включенных по 0.2 ома, для меньшего нагрева.

Как же я сочувствую тем, кто сам собирает высококачественные усилители звука. Ведь именно на этих транзисторах они делают выходные каскады. Как же сложно им найти качественный оригинал, транзисторы настолько популярны, что их штампуют все, кому не лень.
Опять еду в магазин, покупаю транзисторы, что стояли изначально. D1047. Радиатор решил переделать, взял медный, с толщиной основания 6 мм, и тонкими, частыми ребрами.

Источник

Аналоги и замена зарубежных транзисторов

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Замена импортных транзисторов отечественными

Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com

Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:

Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.

Максимальные параметры транзистора из даташита:

Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:

После отправки формы было получено 15 результатов:

В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).

Источник

Транзистор d458 чем заменить

добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание

G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более

Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).

Материнская плата Gigabyte S775 P35 FSB1333
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна

Можно, если транзисторы одинаковые и из одной партии, в схемотехнике компьютеров нередко это используется, как в линейных так и в импульсных источниках.
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.

Спасибо, просто вариантов быстро купить небыло, пришлось импровизировать, уже стоят родные

Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-http://www.youtube.com/watch?v=x5oG6XOVBKs
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.

Скорее всего так и было. только ГП греется не цензурно сильно,он крякнул.

Я профи ремонтом не занимаюсь,друг б/у торгует,вот и чиню что могу,но полевик у другой видюхи я вычичлил как на видео,поставил со старой видеокар.,но наверное драйвер(GP5201BQ,если правильно прочитал,видно плохо) не фурычит, а может он и спалил этот полевик(090H03L),поменял на APM 2512N(с другой видюхи),не стартует мамка.Только опыт в карман положу,а видюхю в коробку .

Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще

Красота. А чё тогда не КТ315А туда поставить? Вместо 80А STripFET™ III Power MOSFET? Вот после таких вот *лять ко мне и приходят ужаренные ноуты и видеокарты, с жуками вместо smd фузов, пробитыми в дыру полевиками и ковырянные 25Вт паяльником 12ти слойные платы.

Ещё вопрос на засыпку,звонятся на коротко D и S в мосфетах на этой видюхе FORCE 30 HD 4830, I же в схеме идёт через ГПу по питанию,значит должно быть сопротивление,а тестер пищит(я полевики не выпаивал),значит пробит(прогорел) канал?Или в схеме так и должно,хотя два из них(9шт) не пищит тестер..Я думаю что им усё уже.

Сообщение Администрации :
Удалено	Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5	Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе	павлик 22 писал: Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе мне надо найти аналог	Что на них написано?	я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например)	Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды.	IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: J B- DEQ34 фото микрухи: Заранее Всем спасибо за содействие![/b]	Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер?	Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты	Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: J B- DEQ34 фото микрухи:

Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb

Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3

Это RT9166 SOT-89 2.5V 0.3A Ultra-Fast Transient Response LDO Regulator

Всем привет!
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?

Добрый день подскажите аналог транзистора 70r900pek6450ygp.

Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы

Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.

musik,
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб

исток обычно справа снизу если читать надпись

Я сослепу вместо «m/b ws» посадил «power led» и получил то что получил,но после правильной установки концов все равно все работало еще дня три,потом кнопка включения перестала реагировать но и при этом я путем легкого шевеления остатков обгоревшего транзистора запускал ПК
Но и это тоже дня через два закончилосью

Помогите определить что это и каковы его функции

Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор

Всех с новым годом.
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23

Помогите найти аналог транзисторов

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24

чем заменить 9412bgm

Источник

Перестал работать мотор отопителя, замена полевого транзистора

Еще об одной распространенной болячке, относящейся не только к Renault, хотя, и не только к Рено. Данная проблема знакома и Ford, Mazda, Lexus, Peugoet, Citroen, Nissan, Opel, и т.п
Симптомы:
— Вентилятор климата не реагирует на регулятор оборотов

— Вентилятор не работает ни в каких режимах

Причины:
Выход из строя резистор печки (блок управления).

Причины выхода из строя полевого транзистора:
Чаще всего в блоке накрывается мощный полевой транзистор, реже горит сама плата, от плохого контакта с источником питания.
Полевой транзистор при работе вырабатывает большое количество тепла (особенно на низких оборотах), расписывать про него много не буду, поэтому стоит большой радиатор. А вот за отдачу тепла от транзистора к радиатору, отвечает термопаста и пружинная скоба.

В оригинале полевых транзисторов, при снятии скобы, можно увидеть страну сборки и даты выпуска, стоят транзисторы Fairchild, ST Morocco NJ08AD, 75344G, W80NF55-08, H80NF55-08 и т.п.

Источник