Транзистор g1002 чем заменить
Транзистор g1002 чем заменить
Наименование прибора: G1002
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
G1002 Datasheet (PDF)
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
0.2. g1002l.pdf Size:1899K _goford
GOFORDG1002LDescription The G1002L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)2Am100V 180 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package f
0.3. g1002 to92.pdf Size:1877K _goford
GOFORDG1002Description DThe G1002 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features SVDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (typ)2Am100V 200 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren
Транзистор g1002 чем заменить
Наименование прибора: 1002
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.22 Ohm
1002 Datasheet (PDF)
0.1. mj10022r.pdf Size:300K _motorola
Order this documentMOTOROLAby MJ10022/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJ10022MJ10023Designer’s Data SheetSWITCHMODE Series40 AMPERENPN Silicon Power DarlingtonNPN SILICONPOWER DAR
0.2. mj10020r.pdf Size:293K _motorola
Order this documentMOTOROLAby MJ10020/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJ10020MJ10021Designer’s Data SheetSWITCHMODE Series60 AMPERENPN Silicon Power DarlingtonNPN SILICONPOWER DAR
0.3. mrf1002m.pdf Size:109K _motorola
MSC81002RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.P 2.0 W MIN. WITH 10 dB GAIN @OUT =1 GHz.230 2L STUD (S016)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC81002 81002PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC81002 is a common base hermeticallysealed silicon NPN micro
0.5. fts1002.pdf Size:44K _sanyo
Ordering number:EN5887P-Channel Silicon MOSFETFTS1002DC-DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON Resistance.unit:mm 4V drive.2147 Mount height 1.1mm.[FTS1002]3.00.9750.658 51:Drain2:Source3:Source4:Gate5:Drain1 46:Source0.1250.257:Source8:DrainSANYO:TSSOP8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CPar
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Preliminary Datasheet RJK1002DPP-E0 R07DS0626EJ0200N-Channel MOS FET Rev.2.00100 V, 70 A, 7.6 m Oct 17, 2012Features High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 6.0 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220FP Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)D1. Gate2. DrainG3. Source1S23Ab
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
0.13. h7n1002lm.pdf Size:152K _renesas
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
0.14. fdy1002pz.pdf Size:267K _fairchild_semi
October 2008FDY1002PZDual P-Channel (1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET20 V, 0.83 A, 0.5 Features General Description Max rDS(on) = 0.5 at VGS = 4.5 V, AThis Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 0.7 at VGS = 2.5 V, Aoptimize the rDS(on)@VG
PHPT61002NYC100V, 2 A NPN high power bipolar transistor9 January 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT61002PYC2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print
PHPT61002PYC100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor10 January 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61002NYC.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C
0.17. ksr1002.pdf Size:43K _samsung
0.18. si1002r.pdf Size:188K _vishay
Si1002Rwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.560 at VGS = 4.5 V 0.5 Gate-source ESD protected: 1000 V0.620 at VGS = 2.5 V 0.230 0.72 nC Material categorization:0.700 at VGS = 1.8 V 0.2For definitions of compliance please see1.
0.19. cxdm1002n.pdf Size:844K _central
CXDM1002NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM1002N is MOSFETa high voltage silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high voltage, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBE
DMN1002UCA6 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features CSP with Footprint 3.05mm 1.77mm IS BVSSS RSS(ON) Max Height = 0.11mm for Low Profile TA = +25C ESD Protection of Gate 2.75m @ VGS = 4.5V 24.4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V 6.1m @ VGS = 2.5V 16.4A Halogen and Antimony Free. Green D
0.21. fdy1002pz.pdf Size:986K _onsemi
2021/8/6 FAIR-S-A0002366002-1.pdfhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/ndq325fhpn/FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 1/72021/8/6 FAIR-S-A0002366002-1.pdfhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/ndq325fhpn/FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2/72021/8/6 FAIR-S-A0002366002-1.pdfhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/ndq325fhpn/FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u
NSTB1002DXV5T1G,NSTB1002DXV5T5GPreferred DevicesDual CommonBase-Collector BiasResistor Transistorshttp://onsemi.comNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Bias312Resistor NetworkR1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with R2a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter
NSTB1002DXV5T1G,NSTB1002DXV5T5GPreferred DevicesDual CommonBase-Collector BiasResistor Transistorshttp://onsemi.comNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Bias312Resistor NetworkR1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with R2a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter
APT10021JFLL1000V 37A 0.210WTMFREDFET POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channelenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speeds inherent wi
APT10026L2FLL1000V 38A 0.260WTMFREDFET POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel TO-264Maxenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speed
APT10026L2LL1000V 38A 0.260WTM POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel TO-264Maxenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speeds inherent
APT10026JLL1000V 30A 0.260WTM POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channelenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speeds inherent with APT’s
APT10025JVFR1000V 34A 0.250POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.»UL Recognized»ISOTOP Fast Recovery Body Diode
APT10026JFLL1000V 30A 0.140WTMFREDFET POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channelenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speeds inherent wi
APT10025PVR1000V 33A 0.250POWER MOS VP-PackPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe
APT10025JLC1000V 34A 0.250WTMPOWER MOS VIPower MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltageN-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge isachieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss.Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout,»UL Recognized»delivers exceptionally fast switching speeds.ISOT
DTO-247GAPT1002RBN 1000V 7.0A 2.00SAPT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C7.0 6.5AmpsIDM Pulsed Drain Current 1
APT10026L2FLL1000V 38A 0.260R POWER MOS 7 FREDFETTO-264Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-ChannelMaxenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7 by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7 combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally
APT10021JLL1000V 37A 0.210WTM POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channelenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speeds inherent with APT’s
APT10025JVR1000V 34A 0.250POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.»UL Recognized»ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche
DGAPT10026JN 1000V 33A 0.26S»UL Recognized» File No. E145592 (S)ISOTOPPOWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APTSymbol Parameter 10026JN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C33AmpsIDM, lLM Pulse
APT10026L2FLL1000V 38A 0.260WTMFREDFET POWER MOS 7Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel TO-264Maxenhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching lossesalong with exceptionally fast switching speed
0.40. suf1002.pdf Size:347K _auk
SUF1002 Dual N-ch Trench MOSFET 30V, 5.8A N-channel Trench MOSFET Features Low drain-source On-resistance: RDS(on)=24m @VGS=10V, Low gate charge: Qg=79.5nC (Typ.) High power and current handing capability Lead free product is acquired SOP-8 Ordering Information Part Number Marking Code Package Packaging SUF1002 SUF1002 SOP-8 Tape & Reel Marki
0.41. 2sb1002.pdf Size:31K _hitachi
2SB1002Silicon PNP EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD1368OutlineUPAK12341. Base2. Collector3. Emitter4. Collector (Flange)2SB1002Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 70 VCollector to emitter voltage VCEO 50 VEmitter to base voltage VEBO 6 V
0.42. d1002uk.pdf Size:78K _semelab
TetraFETD1002UKROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FETMECHANICAL DATAGOLD METALLISEDAMULTI-PURPOSE SILICONBCDMOS RF FET1 240W 28V 175MHzD4 3ESINGLE ENDEDMFGFEATURES SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN H K I J SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONSDA LOW CrssPIN 1 SOURCE PIN 2 DRAINPIN 3 SOURCE PIN 4 GATE SIMPLE BIAS CIRCUITS
AP1002BMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (
0.44. g1002l.pdf Size:1899K _goford
GOFORDG1002LDescription The G1002L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)2Am100V 180 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package f
0.45. 1002.pdf Size:1870K _goford
GOFORD1002Description The 1002 uses advanced trench technology and Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features VDSS RDS(ON) IDS @10V (typ)Schematic diagram m 2A100V 185 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current
0.46. g1002 to92.pdf Size:1877K _goford
GOFORDG1002Description DThe G1002 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features SVDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (typ)2Am100V 200 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren
0.47. rn1002.pdf Size:244K _blue-rocket-elect
RN1002(3RC1002) NPN /SILICON NPN DIGITAL TRANSISTOR : Purpose: Switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications. : Features: With built-in bias resistors, simplify circuit design, reduce a q
0.48. 2sb1002.pdf Size:588K _kexin
0.49. mrf1002ma.pdf Size:240K _hgsemi
0.50. mrf1002mb.pdf Size:240K _hgsemi
0.51. sef401002.pdf Size:224K _semitronics
SEMITRONICS CORP. SEF401002 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 POWER MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Fast Switching Low RDS(on) 0.025 Ohms High Current & High Power MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE OUT
0.52. spm1002.pdf Size:302K _sensitron
0.53. sradm1002.pdf Size:174K _sensitron
0.54. st1002.pdf Size:715K _stansontech
ST1002 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST1002 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo
0.55. 2sa1002.pdf Size:193K _inchange_semiconductor
Замена транзистора для реле противотуманок.
Когда переделывал кнопку ПТФ на светодиоды, прощупывал «+» и «-«для правильной ориентации с/д, и видимо что-то коротнул. В итоге блок управления «видел» нажатие кнопки ПТФ (гасли ДХО), но не выдавал «-» для реле ПТФ.
Чутьё мне говорило, что скорее всего я спалил не микросхему, а всего лишь какой-то исполняющий транзистор, который легко найти и можно заменить.
Блок управления, который отвечает как минимум за ПТФ, расположен слева от педалей, у стенки моторного отсека. Держится на 3-х гайках. Нижняя и самая доступная видна сразу:
Эти металлические кронштейны снимаются с корпуса БУ. Это не совсем просто, но снять нижний кронштейн с корпуса БУ оказалось легче, чем отстегнуть от кронштейна тросик капота. Поэтому вынул я блок без нижнего кронштейна:
Вот такой загогуленой выглядит верхний кронштейн. Когда я снимал первый раз, мне пришлось снять левый воздуховод, кожух приборной панели и приборную панель. Потом собрал всё и прикрутил БУ только нижней гайкой. Окончательно прикручивал уже не разбирая верх торпеды, на ощупь.
Заметьте, что разъёмы имеются с обоих сторон БУ. Серые отсоединяются сразу, а чёрный с серым отсоединяются уже после того, как открутили БУ. Самый трудный чёрный разъем, у него короткий шлейф, БУ отводится совсем чуть-чуть, и туда надо пролезть рукой и отсоединить разъём.
Дальше разбираем сам БУ. Со стороны серых разъёмов поддеваем плоской отвёрткой защёлки и снимаем крышечку:
Со стороны чёрного разъёма выдавливаем плату из корупса. Тут главное давить равномерно, иначе плату перекашивает и клинит. Плата должна выходить без особых усилий.
По дорожкам легко находим виновника:
Транзистор с маркировкой XF. Очень странно, ведь по всем таблицам SMD чип XF — это стабилитрон, т.е. 2 вывода и вообще другие функции. Так что скорее всего имеется ввиду XFs — транзистор BCR512.
UPDATE.Коллеги по несчастью, так сказать, выяснили, что, чип XF на самом деле RN1106F. Но его сложно найти в продаже. Однако, отличия BCR512 от оригинала в бОльших предельно допустимых токах и немного меньшем коэффициенте усиления. Я в ремонте использовал именно BCR512, и у меня всё работает.
Простейшая проверка тестером показала, что этот элемент действительно имеет показатели, отличные от показателей других транзисторов XF, имеющихся на плате.
Выпаиваем старый транзистор:
Собираем в обратной последовательности, и… у меня ничего не заработало.
Через неделю я снова снял БУ, ещё раз проверил пайку и простейшие показания транзистора — всё было в норме. Решил проверить, приходит ли сигнал с микросхемы. Начал подпаивать выводной проводок к соответствующей ножке транзистора и «вывихнул» её ))) Хорошо, что я сразу купил 2шт )
В этот раз я уже тщательней подготовил площадку для впайки чипа, чтобы минимизировать время пайки и риск перегрева.
И всё заработало! Видимо я как-то подпалил первый транзистор во время пайки.
Теперь уже прикрутил блока на все 3 гайки и вернул на место кожух под педалями.
Транзистор g1002 чем заменить
добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание
G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более
Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.
.| JMCJ писал: |
| Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N |
Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще 
| Сообщение Администрации : | ||||||||||||
 Удалено | Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5 | Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе |
мне надо найти аналог | Что на них написано? | я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например) | Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды. | IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: Заранее Всем спасибо за содействие![/b] | Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер? | Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты | Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: |
Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb
Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?
Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы
Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб
исток обычно справа снизу если читать надпись
Но и это тоже дня через два закончилосью
Помогите определить что это и каковы его функции
Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23
Помогите найти аналог транзисторов
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24